850629 UE Leistungshalbleiter

Sommersemester 2025 | Stand: 25.02.2025 LV auf Merkliste setzen
850629
UE Leistungshalbleiter
UE 1
1,5
wöch.
jährlich
Englisch

Ziel dieses Kurses ist es, den Studenten Werkzeuge an die Hand zu geben, mit denen sie fortschrittliche Leistungshalbleiter, Fehlermöglichkeiten, Ansteuerungstechniken und Schutzmaßnahmen analysieren und verstehen können.

Leistungsdioden, Integrated Gate Commuted Thyristors (IGC-Thyristor), Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs), Metal Oxide Silicon Field Effect Transistors (MOSFETs), Wide Band Gap (WBG) Leistungsbauelemente, Silicon Carbide Power Semiconductors (SiC SBD & SiC MOSFET), GaN Transistoren

siehe Termine
Gruppe 0
Datum Uhrzeit Ort
Fr 14.03.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Fr 28.03.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Fr 11.04.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Fr 09.05.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Fr 23.05.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Fr 06.06.2025
13.45 - 15.15 HSB 9 HSB 9 Barrierefrei
Gruppe Anmeldefrist
850629-0 01.02.2025 08:00 - 21.02.2025 23:59
Mair D.